题目：第三代半导体氮化镓基光电子材料与器件的研究现状与趋势
报告人：孙钱（中科院苏州纳米所研究员、中国科学技术大学教授）
主持人：陈沁 教授
时间：2018年12月23日10:00~11:00
地点：暨南大学纳米光子学研究院讲学厅（番禺校区恒大楼102室）
摘要：第三代半导体III族氮化物材料具有直接带隙且连续可调、击穿场强高、电子饱和速度高等特点，在可见光及紫外LED与激光器等光电子器件、以及高温、高频、高压功率电子器件方面有着广泛的应用前景。本报告将首先简要回顾基于蓝宝石衬底的GaN基光电子材料与蓝白光LED的研究历史与诺贝尔物理学奖，然后介绍在硅衬底上外延生长高质量GaN材料的关键难点与技术解决方案和硅基GaN蓝白光/近紫外大功率LED、激光器等光电子器件的研发及产业化进展。最后展望GaN基紫外LED、micro-LED、激光器以及功率电子等领域的发展趋势。
报告人简介：孙钱，中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士，耶鲁大学博士，国家首批青年千人，国家优秀青年基金获得者，国家技术发明一等奖获得者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。近5年主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院STS计划重点项目等。在Nature Photonics、Light: Science & Applications 等期刊上发表论文90余篇。
